[发明专利]镀膜薄膜晶体管基板及其制备方法和薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201210512616.8 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103000637A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张迅;张伯伦;孙一绮;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L23/60;H01L29/786;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种镀膜薄膜晶体管基板，包括薄膜晶体管基底、置于薄膜晶体管基底上的SiO2层及置于SiO2层上的掺铝氧化锌层。上述镀膜薄膜晶体管基板自身具有防ESD的特性，同时还具有高透光性的特性。本发明还提供一种镀膜薄膜晶体管基板的制备方法及其在薄膜晶体管领域的应用，该制备方法采用真空磁控溅射镀膜法进行镀膜，具有反应易于控制、适于工业化生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镀膜薄膜晶体管基板，其特征在于，包括薄膜晶体管基底、设于所述薄膜晶体管基底上的SiO2层及设于所述SiO2层上的掺铝氧化锌层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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