[发明专利]太阳能电池片的制造工艺

摘要

本发明涉及一种制作太阳能电池片的工艺，它包括：清洗、制融、扩散、去磷硅玻璃、镀膜、印刷和烧结；其特征在于：所述的扩散工艺是指将晶硅基片在温度为800-900℃，氧气流量为900-1100L/min，大氮流量1750-1800L/min，小氮流量为1750-1800L/min的情况下与氧气和三氯氧磷反应上形成PN结；所述的去磷硅玻璃工序和镀膜工序之间还有碱清洗工序，所述的碱清洗工序包括以下步骤：（1）碱洗，用碱溶液与硅片表面反应；（2）水洗，用水冲洗硅片表面的碱溶液；（3）中和，再用弱酸中和表面残留的碱；（4）水洗，水洗硅片表面残留的弱酸；（5）脱水干燥，将经过上述步骤的硅片脱水干燥。

主权项

一种制作太阳能电池片的工艺，它包括：清洗、制融、扩散、去磷硅玻璃、镀膜、印刷和烧结；其特征在于：所述的扩散工艺是指将晶硅基片在温度为800‑900℃，氧气流量为900‑1100L/min，大氮流量1750‑1800 L/min，小氮流量为1750‑1800 L/min的情况下与氧气和三氯氧磷反映上形成PN结；所述的去磷硅玻璃工序和镀膜工序之间还有碱清洗工序，所述的碱清洗工序包括以下步骤：（1）碱洗，用碱溶液与硅片表面反应；（2）水洗，用水冲洗硅片表面的碱溶液；（3）中和，再用弱酸中和表面残留的碱；（4）水洗，水洗硅片表面残留的弱酸；（5）脱水干燥，将经过上述步骤的硅片脱水干燥。