[发明专利]一种CMOS图像传感器制造方法有效
| 申请号： | 201210508955.9 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102938410B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李琛;顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，包括提供SOI衬底，所述SOI衬底包括薄体硅衬底，厚体硅衬底以及二氧化硅层；在所述薄体硅衬底上依次形成感光二极管区及第一金属键合层；沿所述二氧化硅层将所述厚体硅衬底剥离；提供体硅衬底，所述体硅衬底包括感光二极管对应区及其他电路区；在所述体硅衬底上的感光二极管对应区依次形成多晶硅层、至少一层金属互连层，并在顶层金属互连层上方形成第二金属键合层；以及对所述第一薄体硅衬底与所述体硅衬底进行金属键合。本发明工艺简便，成本低廉，广泛应用于各种像素的CMOS图像传感器制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括薄体硅衬底，厚体硅衬底以及二氧化硅层；在所述薄体硅衬底上依次形成多个感光二极管区及第一金属键合层，其中所述第一金属键合层仅形成于所述多个感光二极管区的上方；沿所述二氧化硅层将所述厚体硅衬底剥离；提供体硅衬底，所述体硅衬底包括感光二极管对应区及其他电路区；在所述体硅衬底上的感光二极管对应区依次形成多晶硅层、至少一层金属互连层，并在顶层金属互连层上方形成第二金属键合层；以及对所述薄体硅衬底与所述体硅衬底进行金属键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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