[发明专利]一种单晶硅晶圆单切腐蚀片的加工方法无效
| 申请号： | 201210508258.3 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103014876A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 罗翀;甄洪昌;徐荣清;韩贵祥;李翔 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C23F1/24 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅晶圆单切腐蚀片的加工方法。其工艺是：1.将硅片双面去除量控制在20±2μm；2.酸腐蚀液配比：氢氟酸9.03~12.41%、硝酸39.9~42.0%、醋酸19.2~23.1%加去离子水混合；3.在酸腐蚀液中添加氨水作为添加剂，氨水为酸腐蚀液总量的1.08~2.48%；4.经腐蚀后的硅片表面光泽度控制在2～4Gs；5.在酸腐蚀过程中，选择在氮气位置为50～150mm吹氮气，氮气流量100～300L/min，氮气压力80～300Pa，氮气时间为全程；6.酸腐蚀液循环量为300L，在每腐蚀50片后，酸腐蚀液排出量为1～2L，酸腐蚀液补入量为0.3～1L。通过该方法制备单晶硅晶圆切片腐蚀片替代研磨腐蚀片，不仅省去倒角到研磨等加工流程，而且增加出片率，大幅度地降低了成本。从而达到以制备单晶硅晶圆切片腐蚀片替代研磨腐蚀片的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 晶圆单切 腐蚀 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅晶圆单切腐蚀片的加工方法，其特征在于，采取如下工艺：（一）.将硅片双面去除量控制在：20±2μm；（二）.酸腐蚀液按照以下组分的浓度百分比进行配制：氢氟酸：9.03~12.41%，硝酸：39.9~42.0%，醋酸：19.2~23.1%，其余组分为去离子水； （三）.在酸腐蚀液中添加氨水作为添加剂，氨水为酸腐蚀液总量的1.08~2.48%；（四）.经腐蚀后的硅片表面光泽度控制在2～4Gs； （五）.在酸腐蚀过程中，选择在氮气位置为50～150mm向酸腐蚀液槽中鼓吹氮气，氮气流量为100～300L/min，氮气压力为80～300Pa，氮气时间为全程； （六）.酸腐蚀液循环量为300L，在每腐蚀50片后，酸腐蚀液排出量为1～2L，酸腐蚀液补入量为0.3～1L。
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