[发明专利]一种监控回刻深度的结构和监控方法

摘要

一种回刻深度的监控结构和监控方法，该监控结构为制作在晶圆非元件区上的表面截面为梯形的沟槽。该监控方法为利用该梯形沟槽，得到沟槽内沉积物质在回刻工艺之后的分布拐点，根据该拐点位置，就可以判断出回刻深度是否合格。由于本发明的监控方法只需要简单的辅助设备即可得到，因此相比原有的监控手段，其成本大大降低，且操作简单，结果准确，适合进行流水线式的在线监控。另外本发明的监控结构只在整个DMOS器件制作工艺的中间过程中出现，不会对最终产品产生任何负面影响，因而具备很好的实用性。

主权项

一种回刻深度的监控结构，设置在晶圆衬底的非元件区，其特征在于：所述监控结构为表面截面为等腰梯形的沟槽，该沟槽在等腰梯形的上底边长度为1倍至2倍之间的沉积物厚度，下底边长度为大于2倍的沉积物厚度，所述沉积物厚度为所述晶圆衬底经过该沉积物的沉积工艺之后，覆盖在该晶圆衬底表面的沉积物的厚度。