[发明专利]一种P型半导体、P型掺杂剂的制备方法有效
| 申请号： | 201210496144.1 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102925964A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 潘家明;何广川 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵;李玉秋 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种P型半导体的制备方法，该方法将不合格N型硅片与硅料掺杂进行铸锭，得到P型半导体，所述不合格N型硅片为N型硅片硼扩散后的不合格硅片。与现有技术制备硼硅母合金作为P型掺杂剂相比，首先，本发明使用硼扩散后的不合格N型硅片与硅料直接掺杂进行铸锭，避免了硼硅母合金的高成本单晶炉拉制过程，降低了成本；其次，使不合格的N型硅片得到再利用，其成本与单质硼相比，也较低；再次，此制备过程较简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 掺杂 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型半导体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将不合格N型硅片与硅料掺杂进行铸锭，得到P型半导体；所述不合格N型硅片为N型硅片硼扩散后的不合格硅片。
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