[发明专利]MIM电容及其形成方法

摘要

一种MIM电容及其形成方法，其中，所述MIM电容，包括基底，所述基底内具有导电层；位于基底上的刻蚀停止层；位于刻蚀停止层上的介质层；贯穿所述介质层和刻蚀停止层的凹槽；位于所述凹槽的底部和部分侧壁表面的第一金属层，第一金属层作为MIM电容的第一电极板，侧壁表面的第一金属层的顶端低于介质层的表面；位于第一金属层以及凹槽的部分侧壁表面的电介质材料层，电介质材料层作为MIM电容的电介质层；位于电介质材料层的表面的第二金属层，位于第二金属层上的第三金属层，第三金属层填充满凹槽，第二金属层和第三金属层作为MIM电容的第二电极板。第一电极板顶端和第二电极板顶端之间的距离增大，MIM电容的漏电流减小。

主权项

一种MIM电容的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有导电层；在所述基底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成介质层；刻蚀所述介质层和刻蚀停止层，形成暴露所述导电层的凹槽；在所述凹槽的侧壁和底部表面以及介质层表面形成第一金属层；在所述第一金属层上形成牺牲层，牺牲层填充满凹槽；回刻蚀去除介质层表面的牺牲层以及凹槽内的部分厚度的所述牺牲层，暴露出介质层表面的第一金属层以及凹槽侧壁上的部分第一金属层；刻蚀去除介质层表面暴露的第一金属层以及凹槽侧壁上暴露的部分第一金属层，凹槽内剩余的部分第一金属层作为MIM电容的第一电极板；去除凹槽内剩余的牺牲层；去除凹槽内剩余的牺牲层后，在第一电极板和介质层的表面、以及凹槽的部分侧壁表面形成电介质材料层；在所述电介质材料层的表面形成第二金属层；在第二金属层上形成第三金属层，第三金属层填充满凹槽；化学机械研磨所述第三金属层、第二金属层和电介质材料层，以介质层表面为停止层，凹槽内剩余的部分第二金属层和第三金属层作为MIM电容的第二电极板，凹槽内剩余的部分电介质材料层作为MIM电容的电介质层。