[发明专利]一种晶圆干燥方法及装置有效
| 申请号： | 201210489029.1 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103000490A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成电路制造领域中的一种晶圆干燥方法及装置。首先识别晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度；然后根据所述晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度设置吸液参考点；之后根据吸液参考点将吸管的位置调整到图形沟道的底部中点并吸液；最后在吸液完成后对图形沟道进行气体干燥。本发明首先用吸管吸取晶圆线槽内的大部分液体，之后迅速用氮气将线槽内的剩余液体吹干，不仅避免了因氮气直接吹扫导致晶图上的线槽坍塌，破坏线槽的特征结构，同时也没有使用干燥剂，避免了对人体的伤害和晶圆的二次污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 干燥 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆干燥方法，其特征是，该方法包括以下步骤：S1：识别晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度；S2：根据所述晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度设置吸液参考点；S3：根据吸液参考点的位置将吸管调整到图形沟道的底部中点并吸液；S4：吸液完成后对图形沟道进行气体干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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