[发明专利]一种测量高Al组分AlGaN材料刻蚀诱生界面态参数的方法

摘要

本发明公开了一种测量高Al组分AlGaN材料的刻蚀诱生界面态参数的方法，该方法包括：在蓝宝石衬底上外延高Al组分AlGaN材料；利用ICP刻蚀技术对AlGaN材料表面进行处理；制备基于AlGaN材料的无刻蚀处理及经过刻蚀处理的不同条件的肖特基二极管；利用肖特基电容谱法获得AlGaN材料刻蚀诱生界面态密度及能级分布状况。本发明根据肖特基电容谱法测量界面态的原理，提出利用电容谱技术来测量AlGaN材料刻蚀诱生界面态，避免了利用深能级瞬态谱(DLTS)及PL谱的等其他测量诱生缺陷方法的局限性。

主权项

一种测量高Al组分AlGaN材料的刻蚀诱生界面态参数的方法，其特征在于，该方法包括：步骤10：在蓝宝石衬底上外延高Al组分AlGaN材料；步骤20：利用ICP刻蚀技术对该AlGaN材料表面进行处理；步骤30：制备基于AlGaN材料的无刻蚀处理及经过不同刻蚀条件处理的肖特基二极管；步骤40：测试AlGaN肖特基二极管的I‑V特性，提取二极管的串联电阻RS；步骤50：测试AlGaN肖特基二极管的CM‑V特性，利用串联电阻RS对测量得到的电容CM进行校正，获得结电容C‑V特性，并利用该C‑V特性，提取二极管的肖特基势垒高度ΦB；步骤60：测试AlGaN肖特基二极管在频率1kHz≤f≤1MHz范围内，不同正偏压下的CM‑f曲线；通过结电容C与界面态电容Cp和耗尽层电容CSC的关系，得到不同偏压下的界面态电容Cp‑f曲线；通过界面态电容Cp和界面态能级密度Nss的关系、界面态能级Ess相对于半导体表面导带底的位置与外加偏压的关系，获得界面态密度Nss的能量分布Nss～(EC‑Ess)。