[发明专利]含有酸酐基的有机硅氧烷及其制造方法有效
申请号: | 201210480061.3 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN103131011A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 雨宫正博;小野猪智郎 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C08G77/38 | 分类号: | C08G77/38;C08G77/12;C08G77/46;C08L83/06;C08L83/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
有机硅氧烷,是在[1]式所示的烷氧基硅烷或其部分水解缩合物的分子内存在的O-Si键的至少1个中,在O和Si的原子间插入了A式的硅氧烷单元和任选的B式的硅氧烷单元而成的。R1nSi(OR2)4-n [1](R1表示可被卤素原子取代的碳原子数1~20的一价烃基。R2表示碳原子数1~10的烷基。n表示0或1)。 |
||
搜索关键词: | 含有 酸酐 有机硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.有机硅氧烷,其特征在于,是在下述[1]式所示的烷氧基硅烷或其部分水解缩合物的分子内存在的O-Si键的至少1个中,在O和Si的原子间至少1种硅氧烷单元形成硅氧烷键而插入的、分子内具有烷氧基和酸酐基的化合物,并且上述插入的硅氧烷单元由下述[2a]式的A式所示的硅氧烷单元1~100个和根据需要插入的下述[2a]式的B式所示的硅氧烷单元0~100个组成,R1nSi(OR2)4-n [1]式中,R1表示可被卤素原子取代的碳原子数1~20的一价烃基,R2表示碳原子数1~10的烷基,n表示0或1,
式中,X表示具有酸酐基的一价烃基,R3相互独立地表示氢原子、或可被卤素原子取代的碳原子数1~20的一价烃基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210480061.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。