[发明专利]一种二硼化镁基超导片的制造方法无效
| 申请号： | 201210472314.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102992770A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张俊;王斌;陈丽 | 申请（专利权）人： | 溧阳市生产力促进中心 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;H01B12/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 查俊奎 |
| 地址： | 213300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硼化镁基超导片的制造方法包括如下步骤：（1）将干燥的镁、硼、铪和硅粉末按照原子比 Mg∶Hf∶B∶Si ＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-2小时，其中0.05≤x≤0.20；（2）将混合后的粉末施加压力为20-80MPa压制成片；（3）将压制的片置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3 Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以大于60℃/分钟的升温速率将制得的超导片加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时；（4）最后以大于25℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制成二硼化镁基超导片。该方法提供了一种制备过程简单并适宜于大规模生产、且在3特斯拉以上的背景磁场中具有高临界电流密度的 MgB2 基超导材料及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硼化镁基 超导 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二硼化镁基超导片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将干燥的镁、硼、铪和硅粉末按照原子比 Mg∶Hf∶B∶Si ＝1‑x∶x∶2‑x∶x的比例充分混合1‑2小时，其中0.05≤x≤0.20；（2）将混合后的粉末施加压力为20‑80MPa压制成片；（3）将压制的片置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10‑3 Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以大于60℃/分钟的升温速率将制得的超导片加热，在740℃‑760℃的温度下保温1‑10小时；（4）最后以大于25℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制成二硼化镁基超导片。
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