[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210468856.2 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103137574A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 井原匠 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体元件，设置在所述衬底上方；热传导材料，设置在所述半导体元件上方；以及散热器，设置在所述热传导材料上方。所述散热器具有布置在与所述半导体元件相对的区域外侧且朝所述衬底突出的多个突起。即使所述热传导材料在制造时从所述半导体元件上方流出，通过所述多个突起使得流出的热传导材料粘附至所述散热器并沿所述散热器散布。因此，可防止所述热传导材料朝所述衬底的流出或散布或者由其导致的电气故障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；半导体元件，设置在所述衬底上方；热传导材料，设置在所述半导体元件上方；以及散热器，设置在所述热传导材料上方，所述散热器具有布置在与所述半导体元件相对的区域外侧且朝所述衬底突出的多个突起。
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