[发明专利]锰铬双掺杂硫氧化钇发光薄膜、其制备方法和电致发光器件无效
| 申请号： | 201210468583.1 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103820119A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/84 | 分类号： | C09K11/84;H01L33/50 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于发光薄膜领域，其公开了锰铬双掺杂硫氧化钇发光薄膜、其制备方法和电致发光器件；该发光薄膜具有分子通式：Y2O2S:xMn4+,yCr3+；其中，Y2O2S是基质，Cr3+和Mn4+是激活离子，在薄膜中充当发光中心，x的取值0.01~0.05，y取值0.01~0.04。本发明提供的锰铬双掺杂硫氧化钇发光薄膜，其电致发光谱(EL)中，在607nm和629nm位置有很强的发光峰。 | ||
| 搜索关键词： | 锰铬双 掺杂 氧化钇 发光 薄膜 制备 方法 电致发光 器件 | ||
【主权项】：
一种锰铬双掺杂硫氧化钇发光薄膜，其特征在于，具有分子通式：Y2O2S:xMn4+,yCr3+；其中，Y2O2S是基质，Cr3+和Mn4+是激活离子，在薄膜中充当发光中心，x的取值0.01~0.05，y取值0.01~0.04。
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