[发明专利]蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法有效
| 申请号： | 201210468515.5 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102925864A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 罗海林;杨春雷;顾光一;肖旭东 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/54;C23C14/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘诚;吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种蒸发镀膜装置，包括：进样室；镀膜工艺室，与进样室真空相连，镀膜工艺室包括提供铜、铟、镓或硒蒸气的源炉、薄膜生长过程中固定衬底的样片台、加热源炉和衬底的加热装置；称重室，与镀膜工艺室真空相连，用于分别称量所述衬底的重量、制备有铜、铟、镓或硒薄膜的衬底的重量；出样室，与镀膜工艺室真空相连；及衬底传输系统，用于将衬底在进样室、镀膜工艺室、称重室及出样室之间传递。该蒸发镀膜装置设置了称重室，镀膜和称重都是在真空状态下进行，避免了普通称重法中因衬底和膜层的吸湿性以及膜层在空气中发生化学反应带来的误差，获得的束流与源炉的温度关系较精准。本发明还提供一种利用该装置获得镀膜时源炉的工作温度的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 镀膜 装置 获得 工作温度 方法 | ||
【主权项】：
一种蒸发镀膜装置，其特征在于，包括：进样室；镀膜工艺室，与所述进样室真空相连，所述镀膜工艺室包括提供铜、铟、镓和硒蒸气的源炉、薄膜生长过程中固定衬底的样片台、加热源炉和衬底的加热装置；称重室，与所述镀膜工艺室真空相连，用于分别称量所述衬底的重量、制备有铜、铟、镓或硒薄膜的衬底的重量；出样室，与所述镀膜工艺室真空相连；及衬底传输系统；用于将所述衬底在所述进样室、镀膜工艺室、称重室及出样室之间传递。
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