[发明专利]基于角度光偏置的偏硼酸钡晶体电场传感器的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于角度光偏置的偏硼酸钡晶体电场传感器的制备方法，属于高压强电场测量技术领域。本方法采用偏硼酸钡晶体作为电场传感器的传感材料，在晶体定轴切割过程中控制晶体c光轴与通光面法线方向成一个较小角度，该角度根据选用的激光源的波长、偏硼酸钡晶体在该波长下的折射率、以及晶体通光方向的长度来确定。利用偏硼酸钡晶体近轴光束的自然双折射产生静态光波相位偏置，实现电场的线性传感。本发明方法制备的电场传感器，可以测量电场强度的幅值，还可以测量电场的频率、相位等信息，是一种时域测量电场传感器，而且具有测量灵敏度较高、响应速度快、测量范围和频率范围宽、结构更简单、稳定性好、对待测电场的干扰小等优点。

主权项

1.一种基于角度光偏置的偏硼酸钡晶体电场传感器的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）采用熔盐法生长得到偏硼酸钡晶体；（2）对偏硼酸钡晶体进行定轴切割，使得晶体的c光轴方向与晶体的通光方向成θ角：其中，λ为自由空间的激光源波长，为由单轴晶体自然双折射产生的相位延迟，n_o为偏硼酸钡晶体的寻常光折射率，n_o=1.6680，n_e为偏硼酸钡晶体的异常光折射率，n_e=1.5310，l为晶体在晶体通光方向上的长度；（3）在步骤（2）定轴切割得到的偏硼酸钡晶体的激光入射端粘接起偏器，激光出射端粘接检偏器。