[发明专利]一种依达拉奉晶体、其制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种依达拉奉晶体、制备方法及应用。该晶体X-射线粉末衍射衍射角为2θ时，特征峰：11.6±0.2°、14.1±0.2°、16.1±0.2°、17.2±0.2°、20.0±0.2°、21.6±0.2°、24.0±0.2°、24.8±0.2°、25.3±0.2°、28.6±0.2°、34.8±0.2°。该制备方法包括：将3-甲基-1-苯基-2-吡唑啉-5-酮溶液进行析晶；溶液中，溶剂为酯类溶剂、烷烃类溶剂、卤代烷烃类溶剂、芳香烃类溶剂、醚类溶剂和酮类溶剂中的一种或多种。本发明还公开了该晶体在制备药物制剂中的应用。该依达拉奉晶体溶解性和稳定性好，杂质少，产品质量高，有利于制剂的制备。

主权项

1.一种依达拉奉晶体，所述晶体的X-射线粉末衍射图衍射角为2θ时，特征衍射峰为：11.6±0.2°、14.1±0.2°、16.1±0.2°、17.2±0.2°、20.0±0.2°、21.6±0.2°、24.0±0.2°、24.8±0.2°、25.3±0.2°、28.6±0.2°、34.8±0.2°；所述X-射线粉末衍射中使用的靶型为Cu靶；或者，所述晶体经单晶X-射线衍射实验和晶体结构计算确认，晶体属正交晶系，空间群Pca2₁，晶胞参数：α=β=γ=90.00°，晶胞体积晶胞内含不对称单位数Z=4，晶体密度d=1.286g/cm³。