[发明专利]互补型金属氧化物半导体防闩锁结构有效
| 申请号： | 201210464622.0 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103824858A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;王邦麟;苗彬彬;邓樟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体防闩锁结构，包括：N型闩锁防护层和P型闩锁防护层构成，N型闩锁防护层由N型深阱、N型埋层、N阱、N型扩散区其中一种或多种构成；P型闩锁防护层由P型深阱、P型埋层、P阱、P型扩散区其中一种或多种构成；其中，N型闩锁防护层和P型闩锁防护层多组排列，呈十字交叉状。本发明与现有互补型金属氧化物半导体防闩锁结构相比较，能降低静电保护开启电压，提升泄放电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 防闩锁 结构 | ||
【主权项】：
一种互补型金属氧化物半导体防闩锁结构，包括：N型闩锁防护层和P型闩锁防护层构成，N型闩锁防护层由N型深阱、N型埋层、N阱、N型扩散区其中一种或多种构成；P型闩锁防护层由P型深阱、P型埋层、P阱、P型扩散区其中一种或多种构成；其特征是：N型闩锁防护层和P型闩锁防护层多组排列，呈十字交叉状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
