[发明专利]二次电子发射角分布的测试系统

摘要

本发明属于真空计量技术领域，具体涉及一种二次电子发射角分布的测试系统。一种二次电子发射角分布的测试系统，其特征是，它包括：电子枪（1）、法拉第筒（2）、升降装置（3）、二次电子收集环、绝缘环（8）、样品架（9）、静电计以及真空系统（11）；电子枪（1）、法拉第筒（2）、升降装置（3）、二次电子收集环、绝缘环（8）与样品架（9）安装在真空系统（11）内部；静电计安装在真空系统（11）外部；本发明具有物理结构简单，制作成本较低、便于实现和较强的抗干扰性等优点，适用于材料二次电子特性系数测试过程中二次电子角分布的测试。

主权项

一种二次电子发射角分布的测试系统，其特征是，它包括：电子枪（1）、法拉第筒（2）、升降装置（3）、二次电子收集环、绝缘环（8）、样品架（9）、静电计以及真空系统（11）；所述电子枪（1）、法拉第筒（2）、升降装置（3）、二次电子收集环、绝缘环（8）与样品架（9）安装在所述真空系统（11）内部；所述静电计安装在所述真空系统（11）外部；所述电子枪（1）用于产生二次电子；所述法拉第筒（2）安装在所述升降装置（3）上；所述样品架（9）用于放置测试样品，使得所述电子枪（1）所产生二次电子入射电子束水平直射所述测试样品；所述二次电子收集环的数量为两个或两个以上，所述二次电子收集环的形状为圆环，其放置在所述电子枪（1）与所述样品架（9）之间，并以所述电子枪（1）所产生二次电子入射电子束为轴心；所述二次电子收集环的材料采用铜；所述绝缘环（8）套接在相邻的所述二次电子收集环之间；所述静电计的数量为三个或三个以上，分别与所述法拉第筒（2）以及不同的所述二次电子收集环连接；一种二次电子发射角分布的测试系统的工作过程为：A．将测试样品放置于所述样品架（9）上；B.将所述真空系统（11）抽真空，将真空度保持在8×10‑4Pa；C．利用所述升降装置（3）将所述法拉第筒（2）的位置调整到所述电子枪（1）所产生二次电子入射电子束的水平位置；D．设定二次电子能量值并开启所述电子枪（1），利用所述法拉第筒（2）测试二次电子入射电子束的强度，并利用与所述法拉第筒（2）连接的静电计，读取二次电子入射电子束的电流强度；E．重复步骤D，改变设定的二次电子能量值，使得静电计读取二次电子入射电子束的电流强度符合测试要求；F．利用所述升降装置（3）将所述法拉第筒（2）的位置升起，使得所述电子枪（1）所产生二次电子入射电子束穿过所述二次电子收集环辐射到测试样品上；G．利用与所述二次电子收集环连接的静电计读取在不同测试角度下，二次电子入射电子束的电流强度。