[发明专利]一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构有效
| 申请号： | 201210458275.0 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102929112A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 曹乾涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔。该介质基片零层对准标记结构可以为一个直角三角形、一个长方形、一个直角梯形，零层对准标记结构所在的介质基片材料包括：纯度99．6％以上的氧化铝陶瓷、蓝宝石，介质基片厚度为：0．1mm～0．65mm。采用本对准标记结构，不但可确保在含微小阵列金属化通孔的介质基片上光刻薄膜电阻和金属导带图形的对准精度，而且还能提高微波薄膜集成电路的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 介质 基片上 光刻 图形 对准 标记 结构 | ||
【主权项】：
一种用于介质基片上光刻图形的零层对准标记结构，其特征在于，该零层对准标记结构为设置在介质基片边缘的直角型纵向通孔，用于水平和垂直方向对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所，未经中国电子科技集团公司第四十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210458275.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种化学用制冷装置
- 下一篇：可调输出功率直流逆变器
