[发明专利]LED芯片及LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201210457469.9 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000776A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 柴广跃;冯丹华;刘文;李倩珊;徐健;阚皞;胡永恒;张菲菲;李耀东 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518060 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制造方法，LED芯片包括外延发光体、导热基板和导热缓冲层，导热缓冲层设置于导热基板的一侧，外延发光体键合至导热缓冲层，导热缓冲层的平均热膨胀系数介于导热基板和外延发光体之间。通过上述方式，本发明能够有效改善导热基板与外延发光体之间因热膨胀系数相差过大而出现的热失配问题；因此，能够有效改善LED芯片的裂片问题，提高成品率、延长LED芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括外延发光体、导热基板和导热缓冲层，所述导热缓冲层设置于所述导热基板的一侧，所述外延发光体键合至所述导热缓冲层，所述导热缓冲层的平均热膨胀系数介于所述导热基板和所述外延发光体之间。
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