[发明专利]形成焊垫的方法有效
| 申请号： | 201210454789.9 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103803483A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 姜海涛;郭亮良;郑超;张校平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成焊垫的方法，包括：提供待形成焊垫的器件，器件包括第一器件层、位于第一器件层上的互连层、位于互连层上的介质层，介质层中具有插栓；器件包括第一区域和第二区域，互连层作为焊垫的部分在第一区域的上表面低于在第二区域的上表面，第一区域的插栓的高度小于介质层的厚度，第二区域的插栓的高度等于介质层的厚度；利用第一干法刻蚀去除第一区域和第二区域中部分高度的插栓；利用第二干法刻蚀去除第一区域和第二区域中剩余的插栓、第一区域和第二区域上的介质层，暴露出第一区域和第二区域的互连层，暴露的互连层作为焊垫，第二干法刻蚀使用的刻蚀气体为刻蚀介质层时使用的刻蚀气体。本技术方案可以提高第二区域的焊垫的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成焊垫的方法，其特征在于，包括：提供待形成焊垫的器件，所述器件包括第一器件层、位于所述第一器件层上的互连层、位于所述互连层上的介质层，所述介质层中具有插栓；所述器件包括第一区域和第二区域，所述互连层作为焊垫的部分在第一区域的上表面低于在第二区域的上表面，第一区域的插栓的高度小于所述介质层的厚度，第二区域的插栓的高度等于所述介质层的厚度；利用第一干法刻蚀去除第一区域和第二区域中部分高度的插栓；利用第二干法刻蚀去除第一区域和第二区域中剩余的插栓、第一区域和第二区域上的介质层，暴露出第一区域和第二区域的互连层，暴露的互连层作为焊垫，所述第二干法刻蚀使用的刻蚀气体为刻蚀介质层时使用的刻蚀气体。
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