[发明专利]带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法在审
| 申请号： | 201210452581.3 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811626A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;陈弘;贾海强;宋京;丁国建;张荣勤;罗惠英 | 申请（专利权）人： | 天津中环新光科技有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 高凤荣 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法，设有砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，p型窗口层以及临时p型盖帽层，其中，该临时p型盖帽层将被腐蚀掉，并在p型窗口层的上面蒸镀高反射率金属反射层，然后，再在高反射率金属反射层之上蒸镀p型电极，并形成一芯片整体；经切割后的芯片整体成为红光发光二极管（LED）所需的芯片结构。本发明在增加反射率的同时，避免了由分布布拉格反射器（DBR）带来的发光二极管工作电压升高的弊端，不仅可以将砷化镓（GaAs）衬底彻底剥离掉，而且，使经过重新处理后的砷化镓（GaAs）衬底可以再次得到利用。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 反射率 金属 反射层 红光 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有高反射率金属反射层的红光发光二极管，设有砷化镓（GaAs）衬底，其特征在于：砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，p型窗口层以及临时p型盖帽层，其中，该临时p型盖帽层将被腐蚀掉，并在p型窗口层的上面蒸镀高反射率金属反射层，然后，再在高反射率金属反射层之上蒸镀p型电极，并形成一芯片整体；经切割后的芯片整体成为红光发光二极管（LED）所需的芯片结构。
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