[发明专利]连体IGBT器件及其加工方法有效
申请号: | 201210452249.7 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN102956638A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 严利人;刘道广;刘志弘;张伟;周卫;崔杰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082;H01L29/739;H01L21/8222 |
代理公司: | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人: | 张岱 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种连体IGBT器件,为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件,各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明连体IGBT器件。本发明连体IGBT器件及其加工方法加工成本低,简单易行,利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。 | ||
搜索关键词: | 连体 igbt 器件 及其 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种连体IGBT器件,其特征在于,所述器件包括至少两个IGBT器件,两个IGBT器件的漂移区互相连通,各IGBT器件独立引出电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的