[发明专利]一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管

摘要

一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内设有N型阱区及P型基区，在P型基区内设有第一P型接触区和N型源区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有P型漏区，在N型外延层内设有由P型环形基区构成的P型基区阵列，所述P型基区阵列位于N型阱区与P型基区之间，在所述P型环形基区内设有第二P型接触区和N型环形源区，第二P型接触区位于N型环形源区内，本发明大大的增加了横向超薄绝缘栅双极型晶体管的电流密度，可以极大的提高智能功率模块的性能。

主权项

一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有埋氧层（2），在埋氧层（2）上设有N型外延层（3）且N型外延层（3）的厚度为0.1~1.5μm，在N型外延层（3）内设有N型阱区（4）及P型基区（6a），在N型阱区（4）内设有N型缓冲区（5），在N型阱区（4）上设有场氧化层（11），并且，N型缓冲区（5）的一个边界与场氧化层（11）的一个边界相抵，在N型缓冲区（5）内设有P型漏区（9），在P型基区（6a）内设有第一P型接触区（7a）和N型源区（8a），其特征在于，在N型外延层（3）内设有由P型环形基区（6b）构成的P型基区阵列（17），所述P型基区阵列（17）位于N型阱区（4）与P型基区（6a）之间，在所述P型环形基区（6b）内设有第二P型接触区（7b）和N型环形源区（8b），第二P型接触区（7b）位于N型环形源区（8b）内，在场氧化层（11）与N型环形源区（8b）相邻的边界区域表面设有第一多晶硅栅（12a），且第一多晶硅栅（12）自场氧化层（11）的边界朝N型环形源区（8b）方向延伸至N型环形源区（8b）的上方，在第一多晶硅栅（12a）的延伸区域下方设有第一栅氧化层（10a），在N型外延层（3）的上方设有第二多晶硅栅（12b），并且，第二多晶硅栅（12b）的一个边界延伸至N型环形源区（8b）的上方，第二多晶硅栅（12b）的另一个边界延伸至N型源区（8a）的上方，在第二多晶硅栅（12b）的下方设有第二栅氧化层（10b），在场氧化层（11）、第一多晶硅栅（12a）、第二多晶硅栅（12b）、P型基区（6a）、P型环形基区（6b）、第一P型接触区（7a）、N型源区（8a）、第二P型接触区（7b）、N型环形源区（8b）、N型缓冲区（5）及P型漏区（9）上设有介质隔离氧化层（13），在第一P型接触区（7a）、N型源区（8a）、第二P型接触区（7b）及N型环形源区（8b）上连接发射极金属连线（14），在P型漏区（9）上连接集电极金属连线（15），在第一多晶硅栅（12a）和第二多晶硅栅（12b）上连接栅极金属连线（16）。