[发明专利]用于加热静电卡盘上晶片的方法、系统及CVD设备

摘要

本发明提出一种用于加热静电卡盘上晶片的方法，静电卡盘包括第一加热区对应第一加热器，和第二加热区对应第二加热器，该方法包括：获得第一加热区的第一目标温度和第二加热区的第二目标温度；检测第一加热区的第一检测温度和第二加热区的第二检测温度；根据第一目标温度和第一检测温度计算第一误差信号，并根据第二目标温度和第二检测温度计算第二误差信号；根据第一误差信号和第二误差信号分别计算第一校正信号和第二校正信号；分别根据第一校正信号和第二校正信号获得第一加热器和第二加热器的控制信号。该方法能够有效调节加热器不同加热区温度的变化速度，有效抑制温度扰动。本发明还提出了一种用于加热静电卡盘上晶片的系统和CVD设备。

主权项

一种用于加热静电卡盘上晶片的方法，其特征在于，所述静电卡盘包括第一加热区和第二加热区，且所述第一加热区对应第一加热器，所述第二加热区对应第二加热器，所述方法包括以下步骤：分别设定所述第一加热区的第一目标温度和第二加热区的第二目标温度；分别检测所述第一加热区的第一检测温度和第二加热区的第二检测温度；根据所述第一目标温度和第一检测温度计算第一误差信号，并根据所述第二目标温度和第二检测温度计算第二误差信号；根据所述第一误差信号和第二误差信号分别计算第一校正信号和第二校正信号；以及分别根据所述第一校正信号和第二校正信号获得所述第一加热器和第二加热器的控制信号，控制第一加热器和第二加热器的温度变化。