[发明专利]一种LED器件有效
申请号: | 201210438531.X | 申请日: | 2012-11-06 |
公开(公告)号: | CN102931307A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 曾惠丹;曹莹;于庆;蒋奇;刘钊 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种LED器件,采用三维芯壳球体结构,包括:芯部三维导电模块,及其上的一条引线;芯部三维导电模块外表面依次包裹有P(N)型纳米半导体薄膜层、N(P)型纳米半导体薄膜层、透明导电薄膜层和玻璃薄膜层;透明导电薄膜层上连接有一条导线,该导线延伸到玻璃薄膜层外部。本发明的LED器件,可实现出射面在360度范围的各位置上沿轴向的出射光,即出射角均为90°,从而在整个器件表面各点得到相同且最大的发光强度和均匀的色温分布;采用纳米半导体薄膜材料和涂覆玻璃薄膜层用以封装和保护,避免传统工艺导致器件尺寸的显著增加,使器件趋于质轻小巧化,有利于器件向集成化方向发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 器件 | ||
【主权项】:
一种LED器件,采用三维芯壳结构,其特征在于,包括:芯部三维导电模块以及引线,作为LED器件的一个芯部电极;位于所述芯部三维导电模块外表面的P(N)型纳米半导体薄膜层;位于所述P(N)型纳米半导体薄膜层外表面的N(P)型纳米半导体薄膜层;位于所述N(P)型纳米半导体薄膜层外表面的透明导电薄膜层;位于所述透明导电薄膜层外表面的玻璃薄膜层;在所述的透明导电薄膜层上连接一条导线,该导线延伸到玻璃薄膜层外部。
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