[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210436886.5 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103579327A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 江振豪;邱汉钦;刘柏均;陈祈铭;喻中一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并在组成上不同于第一III-V化合物层。源极部件和漏极部件与第二III-V化合物层接触。n型掺杂区在第二III-V化合物层中位于每个源极部件和漏极部件的下方。p型掺杂区在第一III-V化合物层中位于每个n型掺杂区的下方。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间第二III-V化合物层的一部分的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，位于所述第一III‑V化合物层上并在组成上不同于所述第一III‑V化合物层；源极部件和漏极部件，与所述第二III‑V化合物层接触；n型掺杂区，在所述第二III‑V化合物层中位于每个源极部件和漏极部件的下方；p型掺杂区，在所述第一III‑V化合物层中位于每个n型掺杂区的下方；以及栅电极，位于所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III‑V化合物层的一部分的上方。
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