[发明专利]一种硅基薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

一种硅基薄膜电池太阳电池，以具有种子层结构的n型纳米晶硅氧材料作为背反射电极，n型纳米晶硅氧材料的结构式为nc-SiOx:H，厚度为20-100nm，硅基薄膜太阳电池的类型为p/i/n型单结或多结；该硅基薄膜电池太阳电池的制备方法是：沉积完薄膜电池后，通过等离子处理电池的n型非晶硅层后制备n型nc-Si:H种子层，然后制备n型nc-SiOx:H材料。本发明的优点是：n型nc-Si:H种子层的加入可以提高材料的晶化率和电导率，减小电池串联电阻，降低制备难度；该材料用于硅基薄膜太阳电池背反射电极具有与ZnO相近的背反射效果，不仅提高了电池的入射光利用率，而且可降低硅基薄膜太阳电池制备成本。

主权项

一种硅基薄膜电池太阳电池，其特征在于：以具有种子层结构的n型纳米晶硅氧材料作为背反射电极，种子层厚度为1‑30nm，n型纳米晶硅氧材料的结构式为nc‑SiOx：H，厚度为20‑100nm，硅基薄膜太阳电池的类型为p/i/n型单结或多结，单结硅基薄膜太阳电池的结构为：Glass/TCO/p/i/n(a‑Si：H)/n(nc‑Si：H)/n(nc‑SiOx：H)/Al，多结太阳电池的结构为：Glass/TCO/p/i/n/p/i/n…/n(a‑Si：H)/n(nc‑Si：H)/n(nc‑SiOx：H)/Al或Glass/TCO/p/i/n/p/i/n…/n(a‑Si：H)/n(nc‑Si：H)/n(nc‑SiOx：H)/Ag/Al。