[发明专利]一种改善光刻机对准精度的方法无效
| 申请号： | 201210435208.7 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102967996A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴鹏;李文亮;邵志忙;陈力钧;朱骏;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改善光刻机对准精度的方法。本发明提出一种改善光刻机对准精度的方法，通过在芯片完成光阻旋涂、烘烤工艺后，对准曝光工艺前，于该芯片上旋涂一层水溶性物质，以用来改变光对准工艺中整个介质的折射率，进而利用介质折射率的变化来调节对准光路的光程差，增强对准干涉光的强度，提高对准信号的信噪比，有效提高光刻对准的精度，提高产品的良率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 光刻 对准 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种改善光刻机对准精度的方法，其特征在于， 于芯片上旋涂光阻；曝光前烘烤；于所述光阻的上表面旋涂水溶性物质；光刻机激光干涉对准后，进行曝光、烘烤和显影工艺；套刻精度测算。
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