[发明专利]一种钛酸锶铅薄膜的制备方法及制备的钛酸锶铅薄膜无效
| 申请号： | 201210435040.X | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102888586A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王根水;李魁;董显林;雷秀云;李涛;陈莹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;H01L41/187;H01L41/39;H01L41/47 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种钛酸锶铅薄膜的制备方法及制备的钛酸锶铅薄膜，所述方法是在具有底电极的衬底上利用原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅薄膜，在制备薄膜过程中将衬底温度加热到200-500℃，使溅射和薄膜的结晶在所述衬底温度下进行以制备所述薄膜。本发明制备的薄膜所需要的处理温度非常低，可以直接同硅器件进行集成，且具有优异的性能，显示该工艺制备的薄膜具有较好的应用前景；本发明所制备的薄膜通过改变薄膜的结晶度实现薄膜在零场和高场下介电常数皆可通过改变衬底温度调制，从而使得调谐率在更宽的范围内得以优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸锶铅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钛酸锶铅薄膜的制备方法，所述方法是在具有底电极的衬底上利用原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅薄膜，其特征在于，所述方法在制备薄膜过程中将衬底温度加热到200‑500℃，使溅射和薄膜的结晶在所述衬底温度下进行以制备所述薄膜。
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