[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的浅量子阱生长方法无效
| 申请号： | 201210426804.9 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102903808A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李永;王耀国;钟尹泰 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高GaN基LED发光效率的浅量子阱生长方法，该LED外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其中低温浅量子阱由三部分浅量子阱组成。本发明所提供的方法可以有效的获得高结晶质量、高发光效率的量子阱结构氮化镓基材料，获得高发光强度的氮化镓系发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 发光 效率 量子 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种提高GaN基LED发光效率的浅量子阱生长方法，其特征在于，该LED发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底层、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、发光层多量子阱、低温p型GaN层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层；发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其中低温浅量子阱分三部分，该三个部分全部采用高压大于200Torr进行生长，并且该三部分浅量子阱的阱层含铟量以逐渐减少的变化方式进行生长，同时第一部分浅量子阱垒层的生长厚度在原有基础上增加18%‑22%，通过增加MO源的通入量来实现；第二部分浅量子阱的垒层厚度保持不变；第三部分浅量子阱的垒层厚度在第二部分的基础上减薄18%‑22%，通过减少MO源的通入时间和通入量来共同实现。
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