[发明专利]一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺

摘要

本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程（可根据设备调整为多步恒温）；（4）第一次扩散（低温沉积）；（5）第一次低温分布；（6）第一次升温再分布；（7）第一次恒温再分布（可根据设备调整为多步恒温）；（8）第一次降温再分布；（9）第二次恒温再分布；（10）第二次扩散；（11）第二次降温再分布；（12）取出硅片。该工艺能够有效的改善因为温度浓度差异导致的掺杂不均匀而出现的晶体硅太阳能电池转换效率不稳定的问题，提高晶体硅太阳能电池的转换效率和良品率。

主权项

一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，所述扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程；（4）第一次扩散；（5）低温分布；（6）升温再分布；（7）第一次恒温再分布；（8）第一次降温再分布；（9）第二次恒温再分布；（10）第二次扩散；（11）第二次降温再分布；（12）取出硅片;其中，步骤（1）设定的工艺参数如下：送片时间为840s，炉内温度为790～810℃，小氮流量和干氧流量为0 ml/m，大氮流量为22500～27500ml/m；步骤（2）设定的工艺参数如下：升温时间≤10s，炉内温度为790～810℃，小氮流量和干氧流量为0 ml/m，大氮流量为22500～27500ml/m；步骤（3）设定的工艺参数如下：恒温时间为1000s，炉内温度为790～810℃，小氮流量和干氧流量为0 ml/m，大氮流量为22500～27500ml/m；步骤（4）设定的工艺参数如下：扩散时间为600s，炉内温度为790～810℃，小氮流量和干氧流量为900 ～1100ml/m，大氮流量为20700～25300ml/m；步骤（5）设定的工艺参数如下：低温分布时间为500s，炉内温度为790～810℃，小氮流量为0 ml/m，大氮流量为21960～26840 ml/m，干氧流量为540～660ml/m；步骤（6）设定的工艺参数如下：升温分布时间≤10s，炉内温度为840～860℃，小氮流量为0 ml/m，大氮流量为21960～26840 ml/m，干氧流量为540～660ml/m；步骤（7）设定的工艺参数如下：恒温分布时间为1300s，炉内温度为840～860℃，小氮流量为0 ml/m，大氮流量为21960～26840 ml/m，干氧流量为540～660ml/m；步骤（8）设定的工艺参数如下：降温分布时间为1200，炉内温度为820～840℃，小氮流量和干氧流量为0 ml/m，大氮流量为22500～27500ml/m；步骤（9）设定的工艺参数如下：恒温分布时间为300，炉内温度为820～840℃，小氮流量和干氧流量为0 ml/m，大氮流量为22500～27500ml/m；步骤（10）设定的工艺参数如下：扩散时间为800s，炉内温度为820～840℃，小氮流量为1350～1650 ml/m，大氮流量为20070～24530ml/m，干氧流量为1080～1320 ml/m；步骤（11）设定的工艺参数如下：降温分布时间为2400s，炉内温度为540～660℃，小氮流量和干氧流量为0 ml/m，大氮流量为36000～44000ml/m；步骤（12）设定的工艺参数如下：取片时间为840s，炉内温度为790～810℃，小氮流量和干氧流量为0 ml/m，大氮流量为22500～27500ml/m；其中，步骤（8）中设定的炉内温度低于步骤（7）中设定的炉内温度。