[发明专利]一种GaN基LED的老化测试工艺

摘要

本发明涉及一种GaN基LED的老化测试工艺，所述工艺步骤如下：芯片选取、点胶、固晶、焊线、老化前测试、COB老化、老化后测试。本发明通过对老化测试工艺进行改进优化，能够明显的测试出芯片的可靠性，保证后续芯片生产的质量。

主权项

一种GaN基LED的老化测试工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：（1）芯片选取：取W、X、Q炉M圈芯片进行取样，通过全检测试机对取样芯片进行测试，剔除参数不良芯片并在显微镜下进行观察，选取外观良好的优质芯片；（2）点胶、固晶、焊线：按照COB老化测试操作规程将选取的芯片点胶、固晶至老化用PCB上，使用超声波铝丝压焊机进行焊线，焊线后进行目检，剔除焊线不良的芯片；（3）老化前测试：使用老化测试机台对焊线至老化用PCB上的芯片进行测试，测试20mA下电压、波长、亮度，及反向10V下的反向漏电流；（4）COB老化：将测试完成的PCB板插到老化台上，进行老化，老化条件为：室温、30mA，48小时；（5）老化后测试：使用老化测试机台对老化后的PCB上的芯片进行测试，测试20mA下电压、波长、亮度，及反向10V下的反向漏电流。