[发明专利]一种在硅片上实施铝扩散的方法无效
| 申请号： | 201210419969.3 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103000502A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杨惠民 | 申请（专利权）人： | 江苏卡迪诺节能保温材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 胡定华 |
| 地址： | 226100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在硅片上实施铝扩散的方法，包括硅片正面制绒，硅片背面镀氧化硅隔离膜；离子注入步骤:选用固体AlCl3作为铝扩散源，在高真空下对固体铝源加热到120～170℃升华，以氩气作为载体，将固体铝源载入离子注入机灯丝源区与灯丝产生的电子碰撞，形成带电铝离子，通过高压对带电铝离子进行加速，通过磁分析器对离子进行筛选，进一步将铝杂质掺入硅片；硅片进行清洗；将清洗好的硅片用无水乙醇脱水，然后放入100-110℃的烘箱中烘干；将烘干好的硅片放入扩散炉中，升温至1250-1260℃，恒温10-12小时。本发明优点：离子注入精确控制掺杂总量，提高扩散工艺的精度及重复性，实现大面积的均匀掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 实施 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅片上实施铝扩散的方法，其特征在于，包括以下步骤：a、硅片正面制绒，然后在硅片背面镀一层氧化硅隔离膜；b、离子注入步骤: 选用固体AlCl3作为铝扩散源，在高真空下对固体铝源加热到120～170℃升华，以氩气作为载体，将固体铝源载入离子注入机灯丝源区与灯丝产生的电子碰撞，形成带电铝离子，通过高压对带电铝离子进行加速，通过磁分析器对离子进行筛选，进一步将铝杂质掺入硅片；c、将上述硅片进行清洗，将硅片放入去离子水中超声去砂，然后将去砂的硅片放入烧杯中，加入清洗液，加热至沸腾，加热时间5‑10分钟，所述清洗液为HF和水的混合物；d、将清洗好的硅片用无水乙醇脱水，然后放入100‑110℃的烘箱中烘干；e、将烘干好的硅片放入扩散炉中，升温至1250‑1260℃，恒温10‑12小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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