[发明专利]纳米流体二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210415048.X | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102923635A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 弓晓晶;刘磊;邱永鑫;王子武;张锦平;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道；所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面；在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底；所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集；所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。本发明纳米流体二极管及其制造方法制备工艺简单、易形成PN接触。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 流体 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道； 所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面； 在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底； 其特征在于，所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集； 所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。
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