[发明专利]一种超宽带发射机有效
| 申请号： | 201210413420.3 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102904586B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李琛;方泽娇;陈嘉胤 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/02 | 分类号： | H04B1/02;H04B1/717 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超宽带发射机，包括数字激励模块，电荷泵整形模块以及功率放大器模块。数字激励模块接收数字基带的数据信号并将其上升沿转换为多个脉冲信号；电荷泵整形模块与数字激励模块相连，将多个脉冲信号整形为具有相同周期的连续的电压信号，所述电压信号包括上升电压信号及下降电压信号；功率放大器模块与电荷泵整形模块相连，放大所述电压信号并输出至发射天线。本发明超宽带发射机结构简单，且输出功率能够灵活满足超宽带协议的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 发射机 | ||
【主权项】：
一种超宽带发射机，其特征在于，包括：数字激励模块，接收数字基带的数据信号并将所述数据信号的上升沿转换为多个脉冲信号；其中，所述多个脉冲信号中，第一个及最后一个脉冲信号的高电平脉冲宽度为其余所述脉冲信号的高电平脉冲宽度的一半，且所述最后一个脉冲信号仅具有高电平脉冲；电荷泵整形模块，与所述数字激励模块相连，其包括第一NMOS管，第二NMOS管,第一PMOS管,第二PMOS管以及第一电容；其中，所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极连接作为所述电荷泵整形模块的输出端，所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极连接作为所述电荷泵整形模块的输入端；所述第二NMOS管的漏极接所述第一NMOS管的源极，所述第二NMOS管的源极接地；所述第二PMOS管的漏极接所述第一PMOS管的源极，所述第二PMOS管的源极接电源；所述第一电容一端与所述电荷泵整形模块的输出端相连，所述第一电容的另一端接地；所述电荷泵整形模块将所述多个脉冲信号整形为具有相同周期的连续且具有完整波形的电压信号的电压信号，所述电压信号包括上升电压信号及下降电压信号；以及功率放大器模块，与所述电荷泵整形模块相连，放大所述电压信号并输出至发射天线。
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