[发明专利]一种低相变温度二氧化钒薄膜制备工艺有效
| 申请号： | 201210412982.6 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102912308A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张东平;黄仁桂;范平;梁广兴;郑壮豪;罗景庭;李岩 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低相变温度二氧化钒薄膜的制备工艺。具体为采用直流反应磁控溅射技术，以非掺杂的金属钒为靶材，衬底为K9玻璃、硅片或其他类型材料，以高纯氧气和氩气为反应气体和溅射气体。首先将真空室抽至1.0～8.0×10-4Pa本底真空，然后通入一定量的氧气和氩气，使氧分压为（6-12％），工作真空为0.5Pa，在一定衬底温度下溅射V靶在衬底形成薄膜，溅射功率为100-140W，将沉积在衬底表面的膜冷却到室温，然后在400～600°C Ar气氛下进行热处理100-120分钟，生成高质量低相变温度的二氧化钒薄膜。该发明具有不掺杂、工艺简单、二氧化钒薄膜相变温度低、及相变点可调节的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 温度 氧化 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种低相变温度二氧化钒薄膜的制备工艺，其特征在于，该制备工艺采用反应磁控溅射技术和热退火技术，其中在反应磁控溅射技术中以非掺杂的金属钒为靶材，衬底类型为玻璃、硅片或其他晶体材料，以高纯O2气和Ar气为反应气体和溅射气体。
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