[发明专利]增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法有效
| 申请号： | 201210411420.X | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102912431A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 封先锋;陈治明;蒲红斌;马剑平;臧源 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张瑞琪 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 一次 投料 厚度 碳化硅 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，依次进行如下步骤：步骤1、选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；步骤2、分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；步骤3、在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入步骤1确定的高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；步骤4、将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；步骤5、从坩埚中取出石墨柱；步骤6、进行晶体生长操作。
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