[发明专利]用于电流传感器的磁电阻集成芯片

摘要

本发明公开了一种用于电流传感器的磁电阻集成芯片，该磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4…)个结构相同的芯片单元，每一个所述芯片单元为多层膜结构，每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层；补偿导线层、磁电阻元件和软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层，绝缘层的形状与补偿导线层、磁电阻元件和软磁层的形状匹配；4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的，该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形；4N个芯片单元的磁电阻元件相同，4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥。所述磁电阻集成芯片的优点为：尺寸由厘米量级缩小为毫米量级；制作成本明显降低；产品的一致性较好；对外磁场的抗干扰能力明显增强。

主权项

用于电流传感器的磁电阻集成芯片，其特征在于，该磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4…)个结构相同的芯片单元，每一个所述芯片单元为多层膜结构，每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层；所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层，所述绝缘层的形状与所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层的形状匹配；所述4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的，该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形；所述4N个芯片单元的磁电阻元件相同，所述4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥。