[发明专利]掺镱钼酸钆钡钾激光晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201210407781.7 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102877132A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王国富;余意;林州斌;张莉珍;黄溢声 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供掺镱钼酸钆钡钾激光晶体及其制备方法。该晶体属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为a=17.401 (11) Å, b=12.226(8) Å, c=5.324(4) Å, β= 106.19(1)º, V=1087.73(373) Å3, Z=4, D=4.967 g.cm-3。该晶体可采用助熔剂法生长。该晶体呈现出较宽的吸收和发射谱带。其吸收带在976nm处的吸收截面为1.69×10-20cm2，吸收半峰宽为60nm。在约1010nm处的发射截面超过3×10-20cm2。该晶体可成为一种新的超短脉冲激光晶体，并获得实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 钼酸 钆钡钾 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺镱钼酸钆钡钾激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Yb3+:KBaGd(MoO4)3，属于单斜晶系，具有C2/m空间群结构，晶胞参数为a=17.401(11)Å,b=12.226(8)Å,c=5.324(4)Å,β=106.19(1)o,V=1087.73(373)Å3,Z=4,D=4.967g.cm-3。
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