[发明专利]一种双大马士革结构的制作方法

摘要

本发明提供一种双大马士革结构的制作方法，包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层；在介质层上涂布第一光刻胶，经光刻，形成通孔刻蚀图形；经刻蚀和去胶，在介质层上形成通孔；在介质层上淀积沟槽介质膜，并平坦化沟槽介质膜；在沟槽介质膜上涂布第二光刻胶，经光刻，形成沟槽刻蚀图形；经刻蚀和去胶，形成沟槽；刻蚀暴露的中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜；金属填充通孔和沟槽。因此，通过本发明的方法，简化了制备工艺，使刻蚀工艺更加稳定和易于控制，提高了生产效率。

主权项

一种双大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层，所述的介质层的结构从下往上依次为通孔介质膜和中间停止层氮化膜；步骤S2：在所述的介质层上涂布第一光刻胶，经曝光和显影，在所述的第一光刻胶上形成通孔刻蚀图形；步骤S3：利用所述的通孔刻蚀图形刻蚀所述的介质层并停止于所述介质阻挡层氮化膜表面，在所述的介质层中形成通孔；步骤S4：在所述的介质层上淀积沟槽介质膜；步骤S5：将所述的沟槽介质膜平坦化；步骤S6：在所述的沟槽介质膜上涂布第二光刻胶，经曝光和显影，在所述的第二光刻胶上形成沟槽刻蚀图形；步骤S7：用所述的沟槽刻蚀图形刻蚀所述的沟槽介质膜，在所述的沟槽介质膜上形成沟槽；步骤S8：刻蚀去除暴露在所述沟槽底部的所述中间停止层氮化膜和所述通孔底部的所述介质阻挡层氮化膜，以暴露出所述通孔底部的所述衬底以及所述沟槽底部的所述介质层；步骤S9：在所述沟槽和所述通孔内填充金属。