[发明专利]一种半导体芯片的蚀刻组合物及蚀刻方法有效
| 申请号： | 201210404520.X | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103666479A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 游胜闵;孙文檠;王泰瑞;陈奕帆;孙佳涼;江豪祥;廖品冠;江起帆;林泽胜 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C09K13/10 | 分类号： | C09K13/10;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 秦剑 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体芯片的蚀刻组合物，包括：0.5至50wt%的碱；10至80wt%的醇；0.01至15wt%的添加剂；以及余量的水。此外，还提供一种半导体芯片的的蚀刻方法。当该蚀刻组合物用于半导体芯片的全表面或部分表面上时，在60至200℃温度范围内，该蚀刻组合物与该半导体芯片反应形成包含固体、液体和气体的泡沫以蚀刻该半导体芯片，该添加剂于加热反应中，同时形成该半导体芯片表面上的氧化物屏蔽。据此，提供具有优良纹理化结构的半导体芯片表面，并能实现半导体芯片单一表面的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 蚀刻 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的蚀刻组合物，包括：(A)碱，以该蚀刻组合物的总重量为基准，该碱的含量为0.5至50wt%；(B)醇，以该蚀刻组合物的总重量为基准，该醇的含量为10至80wt%；(C)添加剂，以该蚀刻组合物的总重量为基准，该添加剂的含量为0.01至15wt%，且该添加剂选自氧化硼、硼酸、硼酸钾、四硼酸钠、氯化铝、氢氧化铝、磷酸、磷酸硅、磷酸硼、磷酸铝、硫酸、甲酸、醋酸、柠檬酸、硝酸及其组成组的至少一种；以及(D)余量的水，在一蚀刻温度下，该蚀刻组合物与该半导体芯片反应形成包含固体、液体和气体的泡沫以蚀刻该半导体芯片。
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