[发明专利]一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210401540.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103000704A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张晨;张森林 | 申请（专利权）人： | 江苏晨电太阳能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 223700 江苏省宿*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅太阳电池减反射膜，它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，二氧化硅膜厚度为8-12nm，折射率为2.1-2.3，第一层氮氧化硅膜厚度为15-25nm，折射率为1.9-2.0，第三层氮氧化硅膜厚度为30-50nm，折射率为1.7-1.9。该三层减反射膜能大幅度降低膜表面反射率，二氧化硅层具有高损伤阈值和优良的光学性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的优良特性，因此，能够很好地提高光学转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 太阳电池 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅太阳电池减反射膜，其特征在于它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，所述的二氧化硅膜厚度为8‑12nm，折射率为2.1‑2.3，所述的第一层氮氧化硅膜厚度为15‑25nm，折射率为1.9‑2.0，所述的第三层氮氧化硅膜厚度为30‑50nm，折射率为1.7‑1.9。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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