[发明专利]具有多电平的相变随机存取存储器器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210395267.6 申请日: 2012-10-17
公开(公告)号: CN103325938B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 孙敏硕 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 周晓雨,俞波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种相变随机存取存储器器件及其制造方法。所述相变随机存取存储器器件包括加热电极,所述加热电极具有以台阶状突出的上表面;相变材料层,所述相变材料层形成在加热电极上的相变空间中,所述相变材料层具有多个部分,所述多个部分具有与台阶状的加热电极相对应的厚度。
搜索关键词: 具有 电平 相变 随机存取存储器 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种相变随机存取存储器器件,包括:加热电极,所述加热电极具有以台阶状突出的上表面;以及相变材料层,所述相变材料层形成在所述加热电极上的相变空间中,所述相变材料层具有多个部分,所述多个部分具有与所述加热电极的台阶状相对应的厚度,其中,所述加热电极包括:第一加热电极部分,所述第一加热电极部分形成在所述相变空间的下部;第二加热电极部分,所述第二加热电极部分形成在所述第一加热电极部分上,并具有比所述第一加热电极部分更小的直径;以及第三加热电极部分,所述第三加热电极部分形成在所述第二加热电极部分上,并具有比所述第二加热电极部分更小的直径,其中,所述相变材料层包括:第一相变材料层,所述第一相变材料层设置在所述第一加热电极部分上;第二相变材料层,所述第二相变材料层设置在所述第二加热电极部分上,所述第二相变材料层与所述第一相变材料层不同;以及第三相变材料层,所述第三相变材料层设置在所述第三加热电极部分上,所述第三相变材料层与所述第一相变材料层和所述第二相变材料层不同,其中,所述第一相变材料层至所述第三相变材料层中的与台阶状的加热电极的最下层台阶相对应的一个相变材料层具有比所述第一相变材料层至所述第三相变材料层中的与所述台阶状的加热电极的最上层台阶相对应的另一相变材料层更高的相变温度。
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