[发明专利]一种高压二极管封装制造工艺有效
| 申请号： | 201210394355.4 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102881601A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 黄丽凤 | 申请（专利权）人： | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压二极管封装制造工艺，首先将高压二极管芯片经过酸腐蚀，与经过涂有助焊剂的引线在高温链式炉中焊接，焊接后浸泡在活化剂中，利用超声波清洗助焊剂，焊接过程中无需通入氢气，避免由于氢气爆炸造成的人身伤害事故，该封装工艺无任何安全隐患，加工后的产品性能稳定、可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 二极管 封装 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）将引线装入石墨舟，在引线钉头上涂刷助焊剂，芯片经过酸腐蚀后，填进已装入引线的石墨舟，在高温链式炉中进行焊接，焊接过程中通入高纯氮气；（2）对上述焊接后的产品进行去助焊剂残留物处理：首先将产品用活化剂浸泡120s，接着，采用超声清洗产品去除表面助焊剂残留物，清洗完后，重复上述活化剂浸泡步骤，最后用无水乙醇分两次浸泡，时间分别是120s；（3）将经过步骤（2）处理的产品置于恒温槽中烘干200s，恒温槽中通入氮气，防止产品氧化；（4）经过氮气烘干的产品由氢氟酸处理后，再经碱腐蚀，进一步去除芯片表面残留杂质；（5）在芯片表面上胶，高温固化，经过塑封成型，完成封装得成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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