[发明专利]带有凹口的栅电极及其形成方法有效
| 申请号： | 201210391117.8 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103378137A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;陈思莹;杨敦年;刘人诚;许慈轩;洪丰基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体衬底，和从该半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底内的器件隔离(DI)区。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区上方，其中栅极电介质在DI区上方延伸。栅电极设置在栅极电介质上方，其中该栅电极的凹口与该DI区的一部分重叠。本发明提供带有凹口的栅电极及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 凹口 电极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底，具有有源区；器件隔离(DI)区，围绕所述有源区并从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内；栅级电介质，位于所述有源区上方并在所述DI区上方延伸；以及栅电极，位于所述栅极电介质上方，所述栅电极具有与所述DI区的第一部分重叠的第一凹口。
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