[发明专利]射频识别标签芯片的存储器读取电路在审
| 申请号： | 201210389989.0 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700403A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 孔维新;赵海波;王彬;于跃 | 申请（专利权）人： | 扬州稻源微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211400 江苏省仪*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频识别标签芯片的存储器读取电路，属于集成电路(IC)设计技术领域。读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，并且还包括：用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态的栅极控制电路模块、和电容自举电路模块，电容自举电路模块用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。该存储器读取电路在诸如RFID标签芯片的正常电源电压的低电压条件下实现读操作，读操作准确、灵敏，并且电路结构简单、读操作功耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 识别 标签 芯片 存储器 读取 电路 | ||
【主权项】：
一种射频识别标签芯片的存储器读取电路，其上偏置读电压以对该存储器进行读操作，该读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，其用于隔离存储器的编程/擦除电路在编程/擦除操作时的相对高压信号对该读取电路产生影响；其特征在于，还包括：栅极控制电路模块，其用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态；和电容自举电路模块，其用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。
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