[发明专利]一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长水滑石制备多级结构材料的方法有效
| 申请号： | 201210385204.2 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102874747A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 卫敏;邵明飞;宁凡雨;段雪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 张水俤 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种属于无机纳米材料合成领域的一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长水滑石制备多级结构材料的方法。其合成步骤为：首先制备垂直于导电基底生长的纳米阵列材料；然后利用电化学合成的方法在纳米阵列上直接生长有序的LDH纳米片，最终得到多级结构材料。该多级结构材料能够同时充分发挥金属氧化物纳米阵列的光响应性能和水滑石的电化学及光响应性能，对于实现高效的光电化学能量转换具有重要的意义。其在光电化学器件、传感等方面具有重要的研究价值和应用价值。本发明不但得到了一种有序的阵列复合材料，而且拓宽了水滑石类材料的制备方法和应用领域，该多级结构材料可用于光电化学分解水。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 氧化物 纳米 阵列 电场 导向 外延 生长 滑石 制备 多级 结构 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长水滑石制备多级结构材料的方法，其特征在于，其具体操作步骤如下：1）.配制20‑50ml浓度为0.005‑0.01mol/L的两种不同二价金属硝酸盐混合溶液，这两种不同二价金属硝酸盐的摩尔比例为（2:1）‑（1:2）；2).把金属氧化物纳米阵列浸入到步骤1）配制的混合溶液中，利用恒电位法在金属氧化物纳米阵列上生长水滑石，以AgAgCl为参比电极，Pt为对电极，电化学合成的电位设为（‑0.8）‑（‑1.2）V，合成时间为10‑400s，合成温度为10‑50℃。
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