[发明专利]一种改善等离子体刻蚀工艺的方法

摘要

本发明提供一种改善等离子体刻蚀工艺的方法，所述上电极上连接一控温装置，控制所述上电极温度变化，在某一临界温度时，所述上电极的聚合物沉积速率和刻蚀速率相等，本发明所述的方法在刻蚀工艺的开始阶段，将所述上电极温度调节到第一温度，所述第一温度小于所述临界温度，此时中性自由基会在所述上电极表面沉积一层大分子聚合物，然后调节所述上电极温度到第二温度，所述第二温度大于所述临界温度，此时刻蚀反应速率大于所述沉积反应速率，上电极在第一温度条件下形成的大分子聚合物可以保护所述上电极不被等离子体刻蚀掉，从而在保证腔体条件正常的前提下延长所述上电极的使用寿命。

主权项

一种改善等离子体刻蚀工艺的方法，所述方法在一等离子体处理腔内进行，所述等离子体处理腔内包括一下电极，用于支撑待处理基片；所述下电极上方设置一上电极，所述上电极设有若干个气体通道，所述上电极连接一控温装置，用于动态调节所述上电极温度，其特征在于：所述方法包括下列步骤：a)将反应气体注入等离子体处理腔内，所述反应气体包括碳氟气体，所述碳氟气体在所述上电极和所述下电极的作用下解离成自由基CFx和自由基F；b)先调节上电极温度至第一温度，所述第一温度小于100℃，在此温度下等离子体处理腔内对基片的底部抗反射层进行刻蚀，同时，自由基CFx在所述上电极表面发生聚合物沉积反应；c)再调节上电极温度至第二温度，所述第二温度大于80℃，在此温度下等离子体处理腔内对基片的电介质层进行刻蚀，同时，自由基F对所述上电极表面和上电极表面沉积的聚合物进行化学腐蚀反应。