[发明专利]一种半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210383005.8 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730343A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成具有开口的覆盖层，所述开口暴露所述半导体衬底的第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域的两侧，且所述第一区域对应于栅极与源极和漏极的重叠区域；在所述半导体衬底上的所述第一区域和所述第二区域形成第一栅氧化物层；去除所述第二区域上的所述第一栅氧化物层；以及在所述第二区域上形成第二栅氧化物层，所述第二栅氧化物层的厚度小于所述第一栅氧化物层的厚度。本发明提供的方法可以减小、甚至避免在栅极与源极/漏极之间的重叠处产生GIDL电流的同时，保证沟道中心区域的性能，进而达到对MOS器件的性能不产生影响的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括：a）提供半导体衬底；b）在所述半导体衬底上形成具有开口的覆盖层，所述开口暴露所述半导体衬底的第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域的两侧，且所述第一区域对应于栅极与源极和漏极的重叠区域；c）在所述半导体衬底上的所述第一区域和所述第二区域形成第一栅氧化物层；d）去除所述第二区域上的所述第一栅氧化物层；以及e）在所述第二区域上形成第二栅氧化物层，所述第二栅氧化物层的厚度小于所述第一栅氧化物层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
